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Everspin xSPI STT‐MRAM在代码和数据整合的诳骗场景中，诳骗能力代码和小数数据存储在归并个内存芯片中。这偶然需要情愿严格的资本和空间(如物理板空间)条款。代码在起首时加载到RAM中。文献系统可用于存储数据，也可能用于存储固件，但粗俗会使用原始考查。由于NORflash资本低、尺寸小，因此粗俗用于此倡导。 关于只读或以读取为中心的职责负载，这种探讨相当合适。然则，由于写入性能差和写入能耗高开云kaiyun官方网站，NOR闪存粗俗不安妥中等写入职责负载。NAND闪存也可用于普及写入性能，但由于坏块和软空虚科罚，它会带来特地的复杂性。另一个问题是耐力。天然大无数诳骗永恒不会接近NOR或SLCNAND的最大100K擦除周期开云kaiyun官方网站，但保捏力会跟着单位磨损而显耀下落。凭证未磨损设备的典型10年规格，10K轮回后，保留时代可能会降至仅1年。如若固件映像以磨损块杀青(如若使用了符合的磨损平衡，这可能会发生)，这可能会成为一个问题。 Everspin xSPI STT‐MRAM封装8DFN，容量高达64Mb，相当安妥这种特殊的使用情形。它具有极高的写入速率、低写入能耗和险些无穷的写入历久性。甩手现在，NOR flash仍然比MRAM有容量上风，但大型NOR芯片并未低廉，莫得迹象标明MRAM无法扩大界限和资本的详细水平。样品关系代理商英尚微电子。